美国3MPVDF32008/0009车削膜

美国3MPVDF32008/0009车削膜PVDF 浙江巨化 JD-10 PVDF 浙江巨化 JD-11 PVDF 浙江巨化 JD-12 PVDF 浙江巨化 JD-13 PVDF 山东东岳神舟 DS201 PVDF 山东东岳神舟 DS202 PVDF 山东东岳神舟 DS203 PVDF 山东东岳神舟 DS206 PVDF 美国苏威 1015(粉) PVDF 美国苏威 20810-0.1 PVDF 美国苏威 20810-19 PVDF 美国苏威 20810-20 PVDF 美国苏威 20810-3 PVDF 美国苏威 20810-30 PVDF 美国苏威 20810-32 PVDF 美国苏威 20810-47 PVDF 美国苏威 20810-55 PVDF 美国苏威 21216(粉) PVDF 美国苏威 21508/0001 PVDF 美国苏威 460-NC PVDF 美国苏威 6008 PVDF 美国苏威 6008/0001 PVDF 美国苏威 6010 NC PVDF 美国苏威 6010(粉) PVDF 美国苏威 6020(粉) PVDF 美国苏威 720 PVDF 美国苏威 HR460 PVDF 法国苏威 21216 PVDF 法国苏威 21216/1001 PVDF 法国苏威 21508/0001 PVDF 法国苏威 3410 BK PVDF 法国苏威 6008/0001 PVDF 法国苏威 6010/0001 PVDF 法国苏威 6020 PVDF 法国苏威 6020/1001 PVDF 法国苏威 HR460 PVDF 法国阿科玛 2750

LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的较大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。